炭化珪素単結晶の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：恩田博宣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-234090
公開番号（公開出願番号）：特開平9-077595
出願日： 1995年09月12日
公開日（公表日）： 1997年03月25日
要約：

【要約】【課題】大口径かつ高品位炭化珪素単結晶を効率よく、低コストで大量に製造する。【解決手段】シリコンウェハの上に化学的気相成長法により炭化珪素単結晶層12を成長させ、炭化珪素単結晶層12の表面に珪素多結晶層を形成する。フッ酸と硝酸との混酸を用いてシリコンウェハを除去し、炭化珪素単結晶層12の表面に炭化珪素多結晶層15を形成する。珪素多結晶層を除去し、炭化珪素多結晶層15の表面を接着剤16により結晶成長装置の蓋材4bに接合して炭化珪素単結晶層12を蓋材4bに固定する。この蓋材4bを結晶成長装置に装着して昇華再結晶法により炭化珪素単結晶層12を種として炭化珪素単結晶層12に炭化珪素単結晶18を成長させる。

請求項（抜粋）：

珪素単結晶基板の上に炭化珪素単結晶層を成長させる第1工程と、前記炭化珪素単結晶層の表面に第1の補強材を形成する第2工程と、前記珪素単結晶基板を除去する第3工程と、前記珪素単結晶基板の除去により露出した前記炭化珪素単結晶層の表面に第2の補強材を形成する第4工程と、前記第1の補強材を除去する第5工程と、前記第2の補強材の表面を結晶成長装置の台座に接合することにより前記炭化珪素単結晶層を台座に固定し、この台座を結晶成長装置に装着する第6工程と、前記炭化珪素単結晶層を種として当該炭化珪素単結晶層に炭化珪素単結晶を成長させる第7工程とを備えたことを特徴とする炭化珪素単結晶の製造方法。

IPC (3件)：

C30B 29/36 , C30B 25/18 , H01L 29/68

FI (3件)：

C30B 29/36 A , C30B 25/18 , H01L 29/68

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