特許

J-GLOBAL ID：200903056182861937

マスクパターン補正方法とそれを用いたマスク、露光方法および半導体装置

発明者： 津高 圭祐
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-179953
公開番号（公開出願番号）：特開平9-034095
出願日： 1995年07月17日
公開日（公表日）： 1997年02月07日
要約：

【要約】【課題】 設計パターンに近いレジストパターンを得られるような、マスクパターンを算出することを可能とし、これにより、高歩留まりで高性能なデバイスを生産する手段を提供すること。【解決手段】 フォトリソグラフィー工程で使用するフォトマスクのマスクパターンを、所望の設計パターンに近い転写イメージが得られるように、変形させるマスクパターンの補正方法である。所望の設計パターンのパターン外周に沿って、複数の評価点を配置し、評価点が付された設計パターンのフォトマスクを用いて、所定の転写条件で露光を行った場合に得られる転写イメージをシミュレーションし、シミュレーションされた転写イメージと、前記設計パターンとの差を、前記各評価点毎に比較し、各評価点毎に比較された差に依存して、当該差が小さくなるように、前記設計パターンを変形する。評価点配置工程では、所望の設計パターンに対し、その設計パターンの角部にそれぞれ評価点を配置し、さらにパターンの辺部に対し所定の間隔で評価点を配置する。

請求項（抜粋）：

フォトリソグラフィー工程で使用するフォトマスクのマスクパターンを、所望の設計パターンに近い転写イメージが得られるように、変形させるマスクパターンの補正方法において、前記所望の設計パターンのパターン外周に沿って、複数の評価点を配置する評価点配置工程と、評価点が付された設計パターンのフォトマスクを用いて、所定の転写条件で露光を行った場合に得られる転写イメージをシミュレーションするシミュレーション工程と、シミュレーションされた転写イメージと、前記設計パターンとの差を、前記各評価点毎に比較する比較工程と、前記各評価点毎に比較された差に依存して、当該差が小さくなるように、前記設計パターンを変形する変形工程とを有し、前記評価点配置工程では、所望の設計パターンに対し、その設計パターンの角部にそれぞれ評価点を配置し、さらにパターンの辺部に対し所定の間隔で評価点を配置することを特徴とするマスクパターンの補正方法。

IPC (3件)：

G03F 1/00 ,  G06F 17/50 ,  H01L 21/027

FI (5件)：

G03F 1/00 S ,  G03F 1/00 T ,  G06F 15/60 658 Z ,  H01L 21/30 502 P ,  H01L 21/30 502 W