特許

J-GLOBAL ID：200903056186178417

半導体センサ

発明者： 稲葉 正俊
出願人/特許権者： 株式会社フジクラ
代理人 (1件)： 志賀 正武
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-046518
公開番号（公開出願番号）：特開平10-239345
出願日： 1997年02月28日
公開日（公表日）： 1998年09月11日
要約：

【要約】【課題】 SOIウェハの利点を最大限に生かすことで総合的に高い感度を持つ半導体センサを提供する。【解決手段】 正八角形のダイアフラム12が形成されたSOI基板11は、(110)面の上側基板15と(100)面の下側基板16が酸化膜17を介して貼り合わされており、各基板15、16の〈110〉方位が基板面内で45°ずれている。そして、ダイアフラム12の辺部に接するように、下側基板16の〈110〉方位に垂直な方向に沿ってX軸検知用ゲージ抵抗18xが形成され、下側基板16の〈110〉方位に沿ってY軸検知用ゲージ抵抗18yが形成され、上側基板15の〈110〉方位に沿ってZ軸検知用ゲージ抵抗18zが形成されている。

請求項（抜粋）：

上側基板と下側基板が絶縁膜を介して貼り合わされたSOI基板からなり、前記上側基板にゲージ抵抗が形成され前記下側基板がエッチング加工されることによって、前記上側基板の一部が縁部にゲージ抵抗が設けられた多角形のダイアフラムとして機能する半導体センサであって、感度を高めるべきゲージ抵抗が配置される側のダイアフラムの辺部が前記下側基板にとってエッチング制御性の良い結晶方位に位置するように、前記上側基板と前記下側基板の結晶方位が調整されて貼り合わされていることを特徴とする半導体センサ。

IPC (3件)：

G01P 15/12 ,  G01L 9/04 101 ,  H01L 29/84

FI (3件)：

G01P 15/12 ,  G01L 9/04 101 ,  H01L 29/84 B