特許

J-GLOBAL ID：200903056189936444

分子線エピタキシー装置

発明者： 藤井 智 ,  寺田 敏行
出願人/特許権者： 新日本製鐵株式会社
代理人 (1件)： 大島 陽一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-102299
公開番号（公開出願番号）：特開平7-291790
出願日： 1994年04月15日
公開日（公表日）： 1995年11月07日
要約：

【要約】【目的】 高真空状態で高密度のプラズマを発生することができ、基板上に高い品質の窒化ガリウム系化合物のエピタキシャル結晶を成長させることができる分子線エピタキシー装置を提供する。【構成】 結晶成長室側に開口すると共に窒素ガスの供給口を有する有底筒状のケーシングの底部に磁石が設けられ、更にケーシングの外周に高周波コイルを配設したプラズマ励起セルからなる励起セル装置を用いることにより、低圧でも低い高周波パワーで高いプラズマ放電発光強度が得られ、容易に窒素ガスを励起できると共に結晶成長に寄与しない窒素分子ビーム量が減り、成長面でのマイグレーションが促進され、更に放電室内壁などからの汚染物質の発生が抑制される。また、プラズマを発生させる際の結晶成長室内の圧力変動が殆どないことから成長原料の分子ビームが安定し、結晶の品質を向上することができる。

請求項（抜粋）：

基板の表面に、ガリウム系元素、窒素及びドーパントを供給して窒化ガリウム(GaN)系化合物半導体エピタキシャル結晶を成長させるための分子線エピタキシー装置であって、前記窒素を供給する励起セル装置が、結晶成長室側に開口すると共に窒素ガスの供給口を具備する有底筒状のケーシングと、該ケーシングの底部に設けられた磁石と、前記ケーシングの外周に配設された高周波コイルとを有するプラズマ励起セルからなることを特徴とする分子線エピタキシー装置。

IPC (6件)：

C30B 23/08 ,  C23C 14/06 ,  C23C 14/22 ,  C30B 29/38 ,  C30B 29/40 502 ,  H01L 21/203