特許

J-GLOBAL ID：200903056204204951

半導体発光装置及びその製造方法

発明者： 吉村 雅司 ,  吉田 俊樹 ,  遠藤 学
出願人/特許権者： 日本ビクター株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-341626
公開番号（公開出願番号）：特開平6-169104
出願日： 1992年11月27日
公開日（公表日）： 1994年06月14日
要約：

【要約】【目的】 発光ダイオードアレイを長寿命化・高出力化させる。【構成】 n型GaAs基板11上に、n型GaAsP層12をVPEにて成長させる。次に、封管法にてZnを拡散し、表面にp型GaAsP層13を形成する。そして、発光部分の並ぶアレイ方向が<0 -1 1>方向になるように、フォトレジストをパターニングしてこれをマスクとし、リン酸過水を用いてエッチングし、pn接合面14よりも深い溝を形成する。このとき、アレイ方向と平行に形成される<0 -1 1>方向の溝は順メサ形状となり、各発光部分間の<0 1 1>方向の溝は発光面からpn接合面14までが順メサ形状で、それより深い部分が逆メサ形状となってpn接合面14が広くなる。この結果、pn接合面14での抵抗、発熱を少なくすることができる。

請求項（抜粋）：

基板上にpn接合を有する化合物半導体からなる複数の発光部分が列状に形成されている半導体発光装置において、前記複数の発光部分が並ぶアレイ方向と平行方向に形成された溝は順メサ形状に形成され、隣合う前記各発光部分を分離する溝は前記各発光部分の発光面から前記pn接合面までは順メサ形状で前記pn接合面よりも深い部分は逆メサ形状に形成されていることを特徴とする半導体発光装置。