特許
J-GLOBAL ID：200903056205613634
半導体記憶装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
土屋 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-192022
公開番号（公開出願番号）：特開平7-022521
出願日： 1993年07月06日
公開日（公表日）： 1995年01月24日
要約：
【要約】【目的】 転送用トランジスタのゲート絶縁膜の信頼性を高め、且つメモリセルからのデータの読出動作も安定させる。【構成】 メモリセルを構成している転送用トランジスタ16、17のゲート絶縁膜として半導体窒化酸化膜34が用いられているので、半導体酸化膜36が用いられている場合に比べて、転送用トランジスタ16、17のゲート絶縁膜の信頼性が高い。しかも、ゲート絶縁膜として半導体酸化膜36が用いられている駆動用トランジスタ12、13に比べて、転送用トランジスタ16、17の電流駆動能力が低く、ベータ比が大きいので、データの読出動作も安定している。
請求項（抜粋）：
フリップフロップと転送用トランジスタとでメモリセルが構成されている半導体記憶装置において、前記フリップフロップの駆動用トランジスタのゲート絶縁膜として半導体酸化膜が用いられており、前記転送用トランジスタのゲート絶縁膜として半導体窒化酸化膜が用いられていることを特徴とする半導体記憶装置。
IPC (2件)：
H01L 21/8244
, H01L 27/11
