特許
J-GLOBAL ID：200903056208713028
導電性薄膜の作製方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
渡部 剛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-297622
公開番号（公開出願番号）：特開平7-130232
出願日： 1993年11月04日
公開日（公表日）： 1995年05月19日
要約：
【要約】【目的】 有機金属化合物を用いて、良質の酸化物薄膜電極や抵抗体が安価に得られる導電性薄膜の作製方法を提供する。【構成】 本発明の作製方法においては、有機金属化合物前駆体溶液を基板上に塗布して薄膜を形成し、次いで、熱分解に続いてアニールすることにより、ABO3 型の酸化物導電性薄膜を形成する。熱分解工程およびアニール工程のいずれかは次の条件下で行われる。すなわち、熱分解工程では、0.1〜500°C/秒の昇温速度で基板を加熱して100〜500°Cの温度範囲で塗布層を加熱し、またアニール工程では、0.1〜500°C/秒の昇温速度で基板を加熱して300〜1200°Cの温度範囲で熱分解された塗布層を加熱する。上記前駆体としては、金属アルコキシドおよび有機酸金属塩より選ばれる有機金属化合物の混合物またはそれらの反応生成物が用いられる。また、導電性薄膜としては、BaPbO3 が好ましく用いられる。
請求項（抜粋）：
有機金属化合物前駆体溶液を基板上に塗布して薄膜を形成し、次いで、0.1〜500°C/秒の昇温速度で基板を加熱して100〜500°Cの温度範囲で塗布層を熱分解した後、アニールすることにより、ABO3 型の酸化物導電性薄膜を形成することを特徴とする導電性薄膜の作製方法。
IPC (6件)：
H01B 13/00 503
, H01B 5/14
, H01G 4/33
, H01G 4/12 430
, H01L 21/28 301
, H05K 1/09
