特許

J-GLOBAL ID：200903056214901243

導電性透明基材の製造方法

発明者： 笘井 重和 ,  大山 正嗣 ,  海上 暁
出願人/特許権者： 出光興産株式会社
代理人 (1件)： 中村 静男 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-132255
公開番号（公開出願番号）：特開平7-335046
出願日： 1994年06月14日
公開日（公表日）： 1995年12月22日
要約：

【要約】【目的】 主要カチオン元素としてインジウム(In)および亜鉛(Zn)を含有する非晶質酸化物からなる透明導電膜を利用した導電性透明基材であって、導電性の面からみた耐熱性がより向上したものを得ることができる導電性透明基材の製造方法を提供する。【構成】 本発明の導電性透明基材の製造方法は、酸化インジウムと酸化亜鉛とを含有する組成物からなる焼結体ターゲットを用いたスパッタリング法により、主要カチオン元素としてインジウム(In)および亜鉛(Zn)を含有する非晶質酸化物からなる透明導電膜を透明基材上に形成するにあたり、前記透明導電膜の形成に先立って、不活性ガス雰囲気下で前記ターゲットをプラズマ処理することを特徴とするものである。

請求項（抜粋）：

酸化インジウムと酸化亜鉛とを含有する組成物からなる焼結体ターゲットを用いたスパッタリング法により、主要カチオン元素としてインジウム(In)および亜鉛(Zn)を含有する非晶質酸化物からなる透明導電膜を透明基材上に形成するにあたり、前記透明導電膜の形成に先立って、不活性ガス雰囲気下で前記ターゲットをプラズマ処理することを特徴とする導電性透明基材の製造方法。

IPC (7件)：

H01B 13/00 503 ,  B01J 19/14 ,  C01G 15/00 ,  C23C 14/02 ,  C23C 14/08 ,  C23C 14/34 ,  G02F 1/1343