特許

J-GLOBAL ID：200903056219738863

半導体ウェーハの製造方法

発明者： 斎藤 和浩 ,  仲野 浩
出願人/特許権者： 山形日本電気株式会社
代理人 (1件)： 高橋 詔男 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-189479
公開番号（公開出願番号）：特開2000-021794
出願日： 1998年07月03日
公開日（公表日）： 2000年01月21日
要約：

【要約】【課題】 半導体ウェーハの外周部に不純物等の導入又は堆積をさせないで、スリップの発生を容易に回避する方法を提供すると共に、高性能な半導体装置を製造できるようにする。【解決手段】 半導体ウェーハ1表面の全面に、素子を形成するための素子部のパターンを形成するためのマスクとなるとともに、不純物を拡散するためのマスクともなる酸化膜2を形成する第1の工程と、前記半導体ウェーハ1の表面上において、その外周部に酸化膜5を残す第2の工程と、半導体ウェーハ1表面の全面に不純物を含有する塗布溶液8を塗布して熱処理を施すことにより不純物を熱拡散させる第3の工程とを具備してなる。

請求項（抜粋）：

半導体ウェーハ表面の全面に、素子を形成するための素子部のパターンを形成するためのマスクとなるとともに、不純物を拡散するためのマスクともなる酸化膜を形成する第1の工程と、前記半導体ウェーハの表面上において、その外周部に酸化膜を残す第2の工程と、前記半導体ウェーハ表面の全面に不純物を含有する塗布溶液を塗布して熱処理を施すことにより不純物を熱拡散させる第3の工程とを具備してなる半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/22 ,  H01L 21/225

FI (2件)：

H01L 21/22 T ,  H01L 21/225 R

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭50-138768
  
• 特開昭58-103139