特許

J-GLOBAL ID：200903056223501827

発光素子

発明者： 三村 秀典 ,  二木 登史郎 ,  松本 貴裕
出願人/特許権者： 新日本製鐵株式会社
代理人 (1件)： 半田 昌男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-270832
公開番号（公開出願番号）：特開平6-097500
出願日： 1992年09月14日
公開日（公表日）： 1994年04月08日
要約：

【要約】【目的】 シリコンを用いた発光素子、特にpn接合を用いて電荷を注入して発光させる発光素子を提供する。【構成】 発光素子1は、p型の単結晶シリコン基板11と、単結晶シリコン基板11上に単結晶シリコンをエピタキシャル成長させたエピタキシャル層12と、エピタキシャル層12に形成した多孔質シリコン層12aと、更にその多孔質シリコン層12a上に形成したn型の微結晶を含有する非晶質シリコンカーボン層13と、微結晶を含有する非晶質シリコンカーボン層13上に形成した透明電極であるインジウムティンオキサイド(ITO)14と、単結晶シリコン基板11の下面に形成したAu又はAl電極15とを含むものである。【効果】 従来の発光素子のバイアス電圧よりも低いバイアス電圧で発光し、しかも輝度が向上する。

請求項（抜粋）：

p型又はn型で抵抗率が0.001〜40Ωcmの単結晶シリコンと、前記単結晶シリコン上に同じ導電型で抵抗率が前記単結晶シリコンよりも高い単結晶シリコンをエピタキシャル成長させたエピタキシャル層と、前記エピタキシャル層に形成された多孔質シリコン層と、前記多孔質シリコン層上に形成された、前記単結晶シリコンと異なる導電型をもつ微結晶を含有する非晶質シリコンカーボン膜とを具備することを特徴とする発光素子。