プロセス・チャンバを洗浄する方法

発明者： , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：中村稔 (外9名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-572900
公開番号（公開出願番号）：特表2002-526648
出願日： 1999年09月22日
公開日（公表日）： 2002年08月20日
要約：

【要約】本発明は、チタン又は窒化チタンのような半導体材料のデポジションに利用される半導体デポジション・チャンバの本来の場所での洗浄の方法を提供する。方法は、ウェーハ間で、a)上昇温度のチャンバに塩素ガスを導入する段階と;b)不活性ガスでチャンバをパージする段階と;及びc)次のウェーハの導入の前に不活性ガスを排出する段階とを具備する。二段階ウェーハ間洗浄処理は、塩素を上昇温度のチャンバに導入し、その後塩素を取り除くことなくプラズマを起動し、不活性ガスでチャンバをパージしかつ次のウェーハを導入する前に不活性ガスを排出することによって実行される。好ましい実施例において、チタンの薄い保護膜がそのような材料のデポジションのためにチャンバを利用する前にチャンバの内面にデポジットされる。保護層は、各二段階洗浄に続いて補給される。

請求項（抜粋）：

半導体ウェーハを処理するためのデポジション・チャンバの本来の場所での洗浄のための方法であって、前記ウェーハの処理の間で: a)上昇温度の前記チャンバに塩素ガスを導入する段階と; b)不活性ガスで前記チャンバから前記塩素をパージする段階と;及び c)そのコンテンツを取り除くために前記チャンバをポンプ・ダウンする段階とを具備することを特徴とする方法。

IPC (6件)：

C23F 1/12 , B08B 5/00 , B08B 7/00 , C23C 16/44 , C23F 4/00 , H01L 21/02

FI (6件)：

C23F 1/12 , B08B 5/00 A , B08B 7/00 , C23C 16/44 J , C23F 4/00 A , H01L 21/02 Z

Fターム (25件)：

3B116AA46 , 3B116AB51 , 3B116BB77 , 3B116BB82 , 3B116BB89 , 3B116BC01 , 3B116CD11 , 3B116CD41 , 4K030BA18 , 4K030BA38 , 4K030DA06 , 4K030FA10 , 4K030JA10 , 4K030JA11 , 4K030JA16 , 4K030LA15 , 4K057DA01 , 4K057DB08 , 4K057DB11 , 4K057DD01 , 4K057DE01 , 4K057DN10 , 4K057WA01 , 4K057WB08 , 4K057WN10

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