特許

J-GLOBAL ID：200903056228291103

面発光半導体レーザ

発明者： 駒崎 岩男
出願人/特許権者： オリンパス光学工業株式会社
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-240016
公開番号（公開出願番号）：特開平9-083066
出願日： 1995年09月19日
公開日（公表日）： 1997年03月28日
要約：

【要約】【課題】出力を上げると、基本モードから高次モードへ変換されて安定な光出力が得られない。【解決手段】半導体基板(1) 上に上部分布反射ミラー層(6) と下部分布反射ミラー層(2) 間に発光領域を挟んだ層を形成して共振器を構成する面発光半導体レーザにおいて、前記発光領域の前記半導体基板主面に対して平行な断面形状が長軸および短軸を有するとともに、前記発光領域の側面に設けられた、電流ブロックと光の閉じ込めを行う反射層(7) と、前記上部分布反射ミラー層(6) 上に設けられたp型電極(8) と、前記下部分布反射ミラー層(2) 上でかつ前記反射層(7) の外側に前記共振器は挟むように互いに対向して設けられたn型電極(11a,11b)とを具備することを特徴とする面発光半導体レーザ。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に上部分布反射ミラー層と下部分布反射ミラー層間に発光領域を挟んだ層を形成して共振器を構成する面発光半導体レーザにおいて、前記発光領域の前記半導体基板主面に対して平行な断面形状が長軸および短軸を有するとともに、前記発光領域の側面に設けられた、電流ブロックと光の閉じ込めを行う反射層と、前記上部分布反射ミラー層上に設けられた上部電極と、前記下部分布反射ミラー層上でかつ前記反射層の外側に前記共振器は挟むように互いに対向して設けられた下部電極とを具備することを特徴とする面発光半導体レーザ。