特許
J-GLOBAL ID：200903056229875842
不良解析方法および装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-014387
公開番号（公開出願番号）：特開平10-214866
出願日： 1997年01月28日
公開日（公表日）： 1998年08月11日
要約：
【要約】【課題】 不良解析において、多数の不良の位置分布から不良解析対象とする重要な観察位置を自動的に特定する。【解決手段】 半導体ウェハWの検査結果データからこの半導体ウェハWに関する不良位置データを採取し、この不良位置データである不良の位置分布から不良が集中して存在する領域をクラスタとして捉え、クラスタの半導体ウェハW全面に対する面積占有率とクラスタ形状から観察位置を決定する。
請求項（抜粋）：
半導体ウェハの検査結果データからこの半導体ウェハに関する不良位置データを採取し、前記不良位置データである不良の位置分布から不良が集中して存在する領域をクラスタとして捉え、前記クラスタの前記半導体ウェハ全面に対する面積占有率とクラスタ形状から観察位置を決定することを特徴とする不良解析方法。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L 21/66 A
, H01L 21/66 Z
, G01N 21/88 E
