特許
J-GLOBAL ID：200903056230177733
p-チャンネル絶縁ゲートバイポーラートランジスタ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
谷 義一 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-155364
公開番号（公開出願番号）：特開2000-349282
出願日： 1999年06月02日
公開日（公表日）： 2000年12月15日
要約：
【要約】【課題】 高耐圧、大電流動作を行うスイッチング素子に適した新規なp-チャンネル絶縁ゲートバイポーラートランジスタの提供。【解決手段】 半導体材料として炭化ケイ素を用い、n型エミッタ4、p-ベース3、n+コレクタ2からなるnpnバイポーラートランジスタと、n型エミッタ4に接する絶縁膜層7を介してゲート8が設けられ、n型エミッタ4中に埋め込みされてなるp+ウエル5、p-ベース3、その間にあるn型エミッタ4、絶縁膜層7を介して設けられたゲート8により構成される絶縁ゲートトランジスタとが構成されており、n型エミッタ4とp+ウエル5とは、エミッタ電極6により等電圧を印加する構造を有し、n+コレクタ2上に設けられたコレクター電極1によりn+コレクタに電圧を印加し、ゲート8にゲート電圧を印加する構造を有するp-チャンネル絶縁ゲートバイポーラートランジスタ。
請求項（抜粋）：
半導体材料として炭化ケイ素を用い、n型エミッタ、p-ベース、n+コレクタからなるnpnバイポーラートランジスタと、前記n型エミッタに接する絶縁膜層を介してゲートが設けられ、前記n型エミッタ中に埋め込みされてなるp+ウエル、前記p-ベース、その間にある前記n型エミッタ、前記絶縁膜層を介して設けられたゲートにより構成される絶縁ゲートトランジスタとが構成されており、前記n型エミッタとp+ウエルとは、エミッタ電極により等電圧を印加する構造を有し、前記n+コレクタ上に設けられたコレクタ電極により前記n+コレクタに電圧を印加し、前記ゲートにゲート電圧を印加する構造を有することを特徴とするp-チャンネル絶縁ゲートバイポーラートランジスタ。
FI (4件)：
H01L 29/78 652 T
, H01L 29/78 652 D
, H01L 29/78 653 A
, H01L 29/78 655 A
