プロトン伝導体およびその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：石田敬 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-037531
公開番号（公開出願番号）：特開2002-245846
出願日： 2001年02月14日
公開日（公表日）： 2002年08月30日
要約：

【要約】【課題】本発明は、プロトン伝導性が高く、熱安定性に優れ、加工性や可とう性を有する材料および製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】オルガノシロキサン骨格と、M(O-)x単位の無機成分(Mは少なくともpKaが3以下である酸性酸化物となる金属元素及び/又は半金属元素を含む金属元素及び/又は半金属元素、xは価数又は配位数を示す)と、P(O-)y単位の無機成分(yは4〜6の整数)を含むプロトン伝導体、または、pKaが3以下の官能基を有するオルガノシロキサン骨格と、M(O-)x単位の無機成分(Mは金属元素及び/又は半金属元素を、xは価数又は配位数を示す)と、P(O-)y単位の無機成分(yは4〜6の整数)を含むことを特徴とするプロトン伝導体、およびこれらの製造方法である。

請求項（抜粋）：

オルガノシロキサン骨格と、M(O-)x単位の無機成分(Mは少なくともpKaが3以下である酸性酸化物となる金属元素及び/又は半金属元素を含む金属元素及び/又は半金属元素、xは価数又は配位数を示す)と、P(O-)y単位の無機成分(yは4〜6の整数)を含むことを特徴とするプロトン伝導体。

IPC (8件)：

H01B 1/06 , C08G 77/58 , C08J 5/22 CFH , C08K 3/00 , C08L 27/14 , C08L 83/14 , H01B 13/00 , H01M 8/02

FI (8件)：

H01B 1/06 A , C08G 77/58 , C08J 5/22 CFH , C08K 3/00 , C08L 27/14 , C08L 83/14 , H01B 13/00 Z , H01M 8/02 P

Fターム (43件)：

4F071AA26 , 4F071AA68 , 4F071AB01 , 4F071AB19 , 4F071AB25 , 4F071AE22 , 4F071AH12 , 4F071FA02 , 4F071FB06 , 4F071FC01 , 4J002BD132 , 4J002CP201 , 4J002DE146 , 4J002DE176 , 4J002DL006 , 4J002FD206 , 4J002GQ00 , 4J035BA02 , 4J035CA061 , 4J035CA27M , 4J035CA29M , 4J035CA29N , 4J035HA05 , 4J035HA06 , 4J035LB20 , 5G301CA02 , 5G301CA12 , 5G301CA18 , 5G301CA21 , 5G301CA25 , 5G301CA30 , 5G301CD01 , 5H026AA06 , 5H026BB01 , 5H026BB08 , 5H026BB10 , 5H026CX04 , 5H026EE12 , 5H026EE15 , 5H026EE18 , 5H026EE19 , 5H026HH00 , 5H026HH06

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