特許
J-GLOBAL ID：200903056230411167
窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
豊栖 康弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-267856
公開番号（公開出願番号）：特開平9-129931
出願日： 1993年02月10日
公開日（公表日）： 1997年05月16日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 発光出力を大きくする。【構成】 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子は、基板の上に、n型窒化ガリウム系化合物半導体層3と、p型ドーパントをドープしてp型窒化ガリウム系化合物半導体層4aを設けている。p型窒化ガリウム系化合物半導体層に、アニーリング処理してp型電極5を電気的に接続している。p型電極を電気接続するアニーリング処理で、p型電極5によって、p型窒化ガリウム系化合物半導体層から水素の除去されにくい部分にあるp型電極の位置に対応する発光部の発光を弱くして、水素の除去されやすい部分にあるp型電極の位置に対応する発光部の発光を強くしている。
請求項（抜粋）：
基板の上に、少なくともn型窒化ガリウム系化合物半導体層と、p型ドーパントをドープして水素を含むp型窒化ガリウム系化合物半導体層とが成長されており、前記p型窒化ガリウム系化合物半導体層に、アニーリング処理してp型電極を電気的に接続しており、さらに、p型電極を電気接続するアニーリング処理で、p型窒化ガリウム系化合物半導体層の表面に電気接続されるp型電極によって、p型窒化ガリウム系化合物半導体層から水素の除去されにくい部分にあるp型電極の位置に対応する発光部の発光を弱くして、水素の除去されやすい部分にあるp型電極の位置に対応する発光部の発光を強くしてなることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L 33/00 C
, H01L 33/00 E
, H01S 3/18
