熱アシスト書き込みを用いる磁気素子

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：志賀正武 , 渡邊隆 , 村山靖彦 , 実広信哉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-309882
公開番号（公開出願番号）：特開2009-147330
出願日： 2008年12月04日
公開日（公表日）： 2009年07月02日
要約：

【課題】磁気トンネル接合を用いる熱アシスト書き込みを用いるランダムアクセル磁気メモリまたは論理素子を提案する。【解決手段】磁場またはスピン移動を用いる熱アシスト書込みを用いる磁気素子であって、各々が、“トラップ層”と称される磁気参照層であって、その磁化が固定方向にある磁気参照層と、可変的な磁化方向を有し、その層の平面に磁化を有する強磁性材料から作られ、反強磁性材料から作られる磁化トラップ層41に磁気的に結合される層からなる“自由層”と呼ばれる磁気記憶層40と、前記参照層と前記記憶層40との間に挟まれた半導体または制限電流路の絶縁層42と、を有する。それぞれ非晶質または準非晶質の材料45と、反強磁性層と同一の構造または同一の結晶格子を有する材料と、からなる1つ又はそれ以上の二重層が、前記半導体または制限電流路の絶縁層42と接触する強磁性層と反強磁性層との間の前記記憶層40に配置される。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

磁場またはスピン移動を用いる熱アシスト書込みを用いる磁気素子であって、各々が、 “トラップ層”と称される磁気参照層(43)であって、その磁化が固定方向にある磁気参照層(43)と、可変的な磁化方向を有し、その層の平面に磁化を有する強磁性材料から作られ、反強磁性材料から作られる磁化トラップ層に磁気的に結合される層(47)からなる“自由層”と呼ばれる磁気記憶層(40)と、前記参照層と前記記憶層との間に挟まれた半導体または制限電流路の絶縁層(42)と、を有し、それぞれ非晶質または準非晶質の材料(45)と、反強磁性層(41)と同一の構造または同一の結晶格子を有する材料(46)と、からなる1つ又はそれ以上の二重層が、前記半導体または制限電流路の絶縁層(42)と接触する強磁性層(47)と反強磁性層(41)との間の前記記憶層に配置される、磁気素子。

IPC (3件)：

H01L 43/08 , H01L 21/824 , H01L 27/105

FI (2件)：

H01L43/08 Z , H01L27/10 447

Fターム (36件)：

4M119AA06 , 4M119AA15 , 4M119BB01 , 4M119CC02 , 4M119CC06 , 4M119DD05 , 4M119DD26 , 4M119DD33 , 4M119DD45 , 4M119EE03 , 4M119EE22 , 4M119EE29 , 4M119FF05 , 4M119FF15 , 4M119KK05 , 5F092AA20 , 5F092AB08 , 5F092AC12 , 5F092BB17 , 5F092BB34 , 5F092BB35 , 5F092BB36 , 5F092BB42 , 5F092BB43 , 5F092BB44 , 5F092BB45 , 5F092BC04 , 5F092BC07 , 5F092BC08 , 5F092BC13 , 5F092BE06 , 5F092BE12 , 5F092BE13 , 5F092BE27 , 5F092CA14 , 5F092CA15

引用特許：

審査官引用 (7件)

磁気トンネル接合を有する磁気装置、メモリアレイ、及びこれらを用いた読み出し/書き込み方法
公報種別：公表公報出願番号：特願2003-544759 出願人：コミツサリアタレネルジーアトミーク
スピン転移を利用する磁気素子の熱支援スイッチングを提供するための方法及びシステム
公報種別：公表公報出願番号：特願2006-553307 出願人：グランディスインコーポレイテッド
磁気抵抗素子及び磁気抵抗素子の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-364350 出願人：日本電気株式会社

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