特許
J-GLOBAL ID:200903056238670609
プロトン伝導体及びその製造方法、プロトン伝導性高分子及びその製造方法、プロトン伝導性高分子組成物、並びに電気化学装置
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
逢坂 宏
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-175284
公開番号(公開出願番号):特開2003-303513
出願日: 2002年06月17日
公開日(公表日): 2003年10月24日
要約:
【要約】【課題】 高度のプロトン伝導性を有し、電気化学装置で求められる条件のもとで、熱的ばかりでなく化学的にも安定なフラーレン系プロトン伝導体、プロトン伝導性高分子及びプロトン伝導性高分子組成物を提供すること。【解決手段】 フラーレン分子と;前記フラーレン分子に付加し、少なくとも一部分がフッ素化されてなるスペーサー分子と;前記スペーサー分子に付加したプロトン(H+)伝導性官能基と;からなる、プロトン伝導体。複数のプロトン伝導体と、複数の前記プロトン伝導体の間を連結した少なくとも1個の連結分子とからなり、前記プロトン伝導体が、フラーレン分子と、前記フラーレン分子に付加し、少なくとも一部分がフッ素化されてなるスペーサー分子と、前記スペーサー分子に付加したプロトン伝導性官能基とからなる、プロトン伝導性高分子。
請求項(抜粋):
フラーレン分子と;前記フラーレン分子に付加し、少なくとも一部分がフッ素化されてなるスペーサー分子と;前記スペーサー分子に付加したプロトン(H+)伝導性官能基と;からなる、プロトン伝導体。
IPC (11件):
H01B 1/06
, C07C303/08
, C07C303/36
, C07C309/11
, C07C309/82
, C07C311/04
, C07C311/09
, H01B 13/00
, H01M 8/02
, H01M 8/10
, C07F 7/10
FI (11件):
H01B 1/06 A
, C07C303/08
, C07C303/36
, C07C309/11
, C07C309/82
, C07C311/04
, C07C311/09
, H01B 13/00 Z
, H01M 8/02 P
, H01M 8/10
, C07F 7/10 P
Fターム (24件):
4H006AA01
, 4H006AA02
, 4H006AA03
, 4H006AB78
, 4H006AB91
, 4H049VN01
, 4H049VP10
, 4H049VQ35
, 4H049VQ55
, 4H049VR23
, 4H049VR51
, 4H049VU24
, 5G301CA30
, 5G301CD01
, 5H026AA02
, 5H026AA06
, 5H026BB08
, 5H026BB10
, 5H026CX05
, 5H026EE18
, 5H026EE19
, 5H026HH05
, 5H026HH08
, 5H026HH10
引用特許:
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