特許

J-GLOBAL ID：200903056246148652

強誘電体薄膜素子

発明者： 小川 敏夫
出願人/特許権者： 株式会社村田製作所
代理人 (1件)： 宮▼崎▲ 主税
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-035243
公開番号（公開出願番号）：特開平5-235416
出願日： 1992年02月21日
公開日（公表日）： 1993年09月10日
要約：

【要約】【目的】 分極容易軸が(111)方向である強誘電体材料を用いて、強誘電性に優れた強誘電体薄膜素子を得る。【構成】 基板2上にNi-Cr-Al系合金薄膜よりなる第1の薄膜電極3を形成し、第1の薄膜電極3上に分極容易軸方向が(111)方向である組成の強誘電体材料からなり、結晶方向が(111)方向に配向された強誘電体薄膜4を形成してなる強誘電体薄膜素子1。

請求項（抜粋）：

基板と、前記基板上に形成されており、かつNi-Cr-Al系合金薄膜またはNi-Al系合金薄膜からなる電極と、前記電極上に形成されており、結晶方向が(111)方向に配向された強誘電体薄膜とを備え、前記強誘電体薄膜が、(111)方向に分極容易軸を有する組成の強誘電体材料で構成されている、強誘電体薄膜素子。

IPC (4件)：

H01L 37/02 ,  G01J 1/02 ,  G01J 5/02 ,  H01L 41/04

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭62-162369
  
• 特開平3-276615
  
• 特開昭60-175308