特許

J-GLOBAL ID：200903056259474206

電子装置およびその製造方法

発明者： 宮本 孝章
出願人/特許権者： ソニー株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-018955
公開番号（公開出願番号）：特開2000-223441
出願日： 1999年01月27日
公開日（公表日）： 2000年08月11日
要約：

【要約】【課題】 W膜/WNxバリア膜/有機系層間絶縁膜の積層膜構造を有する電子装置およびその製造方法において、WNxバリア膜と層間絶縁膜との密着性を向上させるとともに、WNxバリア膜上でのW膜の成長を促進させることが課題である。【解決手段】 半導体基体1上に、下層配線を構成する導電膜2と、導電膜2上に例えばポリアリールエーテル膜などの層間絶縁膜3と二酸化シリコン膜などの酸化膜4を有するとともに、導電膜2を臨んで酸化膜4と層間絶縁膜に開口したビアホール5を有する被処理基体6のビアホール5内に、W密着膜7、WNxバリア膜8、W核形成促進膜9、ビアホール5内に埋め込まれたW膜10をこの順に有するビアコンタクトプラグ11を具備し、さらに、ビアコンタクトプラグ11上に上層配線を構成する導電膜12を有する。

請求項（抜粋）：

被処理基体上にWNxバリア膜を形成する工程と、前記WNxバリア膜上にW核形成促進膜を形成する工程と、前記W核形成促進膜上にW膜を形成する工程を有することを特徴とする電子装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/285 301 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/768

FI (4件)：

H01L 21/285 301 R ,  H01L 21/285 C ,  H01L 21/285 S ,  H01L 21/90 B

Fターム (30件)：

4M104BB01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD37 ,  4M104DD43 ,  4M104DD45 ,  4M104FF18 ,  4M104HH08 ,  5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ34 ,  5F033KK08 ,  5F033KK33 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP03 ,  5F033PP04 ,  5F033PP12 ,  5F033PP15 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ13 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ74 ,  5F033QQ94 ,  5F033QQ98 ,  5F033RR04 ,  5F033RR21 ,  5F033SS15 ,  5F033SS22 ,  5F033XX14