特許
J-GLOBAL ID：200903056260443470
不揮発性記憶装置と書き込み方式
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
徳若 光政
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-348822
公開番号（公開出願番号）：特開平5-159587
出願日： 1991年12月05日
公開日（公表日）： 1993年06月25日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 ブロック単位での書き換えを可能にするとともに実質的な書き換え回数を増加させることができる不揮発性記憶装置と書き込み方式を提供する。【構成】 各ブロック毎に共通化された不揮発性記憶素子M1〜8のソース線CS0〜nに対して、書き込み時において選択されたブロックに対しては回路の接地電位を与え、非選択のブロックに対してはフローティングゲートとソース,ドレイン間の電位差を小さくする。あるいは、1つのメモリブロックにおいて、書き込み時に非選択のメモリブロックではワード線W0〜mに高電圧が供給されないようなワード線W0〜m及びソース線CS0〜nの構成にする。
請求項（抜粋）：
トンネル絶縁膜を介したトンネル電流によってフローティングゲートの蓄積電荷を消去させる不揮発性記憶素子がマトリックス配置されてなり、同一ワード線にコントロールゲートが結合される複数からなる不揮発性記憶素子が複数ブロックに分割されてブロック毎での上記消去が可能にされたメモリアレイと、上記各ブロック毎に共通化された不揮発性記憶素子のソース線に設けられ、書き込み時おいて選択されたブロックに対しては回路の接地電位を与え、非選択のブロックに対してはフローティングゲートとソース,ドレイン間の電位差を小さくするような所定のバイアス電圧を与え、消去時には所定の高電圧を与えるソーススイッチ回路とを備えてなることを特徴とする不揮発性記憶装置。
IPC (4件)：
G11C 16/06
, H01L 27/115
, H01L 29/788
, H01L 29/792
G11C 17/00 309 A
, H01L 27/10 434
, H01L 29/78 371
