特許

J-GLOBAL ID：200903056266819081

光半導体装置

発明者： 近藤 浩史 ,  石塚 公 ,  西村 哲治
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 丸島 儀一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-345058
公開番号（公開出願番号）：特開平5-175545
出願日： 1991年12月26日
公開日（公表日）： 1993年07月13日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 小型化・高密度化を追求した光半導体装置の提供。【構成】 光学窓部2を有する筐体の内部に発光素子1と受光素子4が内蔵された光半導体装置において、前記発光素子と窓部との間に、前記受光素子がマウントされる基材6を配し、該基材は前記発光素子からの光が射出する部分に光透過部が設けられていることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

光学窓部を有する筐体の内部に発光素子と受光素子が内蔵された光半導体装置において、前記発光素子と窓部との間に、前記受光素子がマウントされる基材を配し、該基材は前記発光素子からの光が射出する部分に光透過部が設けられていることを特徴とする光半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 31/14 ,  H01L 31/12