有機薄膜トランジスタおよび有機薄膜トランジスタの製造方法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-242114
公開番号（公開出願番号）：特開2009-076545
出願日： 2007年09月19日
公開日（公表日）： 2009年04月09日
要約：

【課題】ソース、ドレイン電極等、半導体デバイスにおける電極と有機半導体層とのオーミックコンタクト(電荷注入効率)の改善であり、これにより移動度、on/off比、駆動電圧等、トランジスタ性能に優れた有機薄膜トランジスタ、およびその製造方法及び低コスト、簡便なプロセスにより製造可能な有機TFT製造法を提供する。【解決手段】支持体上にゲート電極4、絶縁層5、金属からなるソース電極2及びドレイン電極3、有機半導体層を有する有機薄膜トランジスタにおいて、前記ソース電極及びドレイン電極表面の少なくとも一部に無機酸化物が存在し、前記無機酸化物に直接結合してなる単分子膜をソース電極及びドレイン電極と有機半導体層間に有することを特徴とする有機薄膜トランジスタ。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

支持体上にゲート電極、絶縁層、金属からなるソース電極及びドレイン電極、有機半導体層を有する有機薄膜トランジスタにおいて、前記ソース電極及びドレイン電極表面の少なくとも一部に無機酸化物が存在し、前記無機酸化物に直接結合してなる単分子膜をソース電極及びドレイン電極と有機半導体層間に有することを特徴とする有機薄膜トランジスタ。

IPC (7件)：

H01L 21/336 , H01L 29/786 , H01L 51/05 , H01L 51/30 , H01L 51/40 , H01L 29/417 , H01L 21/28

FI (10件)：

H01L29/78 616K , H01L29/78 616V , H01L29/78 616U , H01L29/78 618B , H01L29/78 618A , H01L29/28 100A , H01L29/28 220D , H01L29/28 310L , H01L29/50 M , H01L21/28 301B

Fターム (63件)：

4M104AA09 , 4M104AA10 , 4M104BB02 , 4M104BB05 , 4M104BB08 , 4M104BB09 , 4M104BB13 , 4M104BB36 , 4M104CC01 , 4M104DD37 , 4M104DD51 , 4M104DD86 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104GG14 , 4M104HH15 , 5F110AA03 , 5F110AA05 , 5F110BB02 , 5F110CC03 , 5F110CC05 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD04 , 5F110DD05 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE08 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF09 , 5F110FF23 , 5F110FF24 , 5F110FF27 , 5F110FF28 , 5F110FF29 , 5F110GG05 , 5F110GG25 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110GG42 , 5F110GG43 , 5F110GG44 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK06 , 5F110HK07 , 5F110HK17 , 5F110HK21 , 5F110HK31 , 5F110HK32 , 5F110HK33 , 5F110HK34 , 5F110NN02 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN35 , 5F110QQ06 , 5F110QQ14

引用特許：

出願人引用 (2件)

米国特許第6,335,539号明細書
米国特許出願公開第2007/0063195号明細書

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