特許
J-GLOBAL ID：200903056282150094
電界効果トランジスタ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-315931
公開番号（公開出願番号）：特開平5-211177
出願日： 1991年11月29日
公開日（公表日）： 1993年08月20日
要約：
【要約】【目的】化合物半導体ヘテロ接合を用いたFETのゲートリーク電流を低減し、ゲート耐圧を高くして、高出力FETに適用できるようにする。【構成】ゲート電極9とN型AlGaAs電子供給層4との間に基板温度500°C以下の低温で成長したアンドープAlGaAs層5を挟む。【効果】ゲートリーク電流を抑え、ゲート耐圧を飛躍的に向上させることができた。その結果、高出力FETへの適用が可能になった。
請求項（抜粋）：
N型AlGaAsキャリア供給層とゲート電極との間に低温成長したアンドープAlGaAs層が形成された電界効果トランジスタ。
IPC (2件)：
H01L 21/338
, H01L 29/812
