特許
J-GLOBAL ID：200903056283878440
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-229081
公開番号（公開出願番号）：特開平6-077240
出願日： 1992年08月28日
公開日（公表日）： 1994年03月18日
要約：
【要約】【目的】エミッタ電極を多結晶シリコン膜で構成した半導体装置に於いて、多結晶シリコン膜表面に選択的に絶縁膜を設ける事で半導体装置の歩留り低下原因を防止する。【構成】開孔窓15を覆う多結晶シリコン膜7を選択的に形成し、多結晶シリコン膜表面段差の内角部に絶縁膜を選択的に形成しこの絶縁膜のない領域のみにシリサイド合金膜を形成する。【効果】多結晶シリコン膜表面段差の内角部からのシリサイド合金膜の侵入を防ぎ半導体装置の歩留りを向上させる事ができる。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に形成された絶縁層と、前記絶縁層に形成された開孔窓と、前記開孔窓を覆うように選択的に形成された不純物を含有せる多結晶シリコン膜と、前記開孔窓下の半導体基板に形成されたPN接合領域と、前記多結晶シリコン膜の表面に形成されたシリサイド合金膜とを有し、前記多結晶シリコン膜の表面が前記開孔窓によって段差形状となっている半導体装置に於て、前記開孔窓の側面と底面との境界線に対応する前記多結晶シリコン膜の表面段差の底面端部である境界部分に絶縁膜を形成し、前記多結晶シリコン膜の前記絶縁膜が形成されていない表面の部分に前記シリサイド合金膜が形成されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
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