特許

J-GLOBAL ID：200903056285605718

半導体ナノ粒子及びその製造方法

発明者： 鳥本 司 ,  桑畑 進 ,  大谷 文章 ,  柴山 環樹 ,  工藤 昭彦 ,  櫻岡 美和 ,  足立 知弘
出願人/特許権者： 国立大学法人名古屋大学 ,  国立大学法人大阪大学 ,  国立大学法人 北海道大学 ,  学校法人東京理科大学
代理人 (1件)： 特許業務法人アイテック国際特許事務所
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2006317072
公開番号（公開出願番号）：WO2007-026746
出願日： 2006年08月30日
公開日（公表日）： 2007年03月08日
要約：

本発明は、常温で発光する半導体ナノ粒子であって、亜鉛、周期表第11族元素及び周期表第13族元素を含む硫化物若しくは酸化物を主成分とするか、又は周期表第11族元素及び周期表第13族元素を含む硫化物若しくは酸化物を主成分とするものであり、例えば、Zn(1-2x)InxAgxS(0 請求項（抜粋）：

亜鉛、周期表第11族元素及び周期表第13族元素を含む硫化物若しくは酸化物を主成分とするか、又は周期表第11族元素及び周期表第13族元素を含む硫化物若しくは酸化物を主成分とし、常温で発光する半導体ナノ粒子。

IPC (2件)：

C09K 11/62 ,  C09K 11/08

FI (2件)：

C09K11/62 ,  C09K11/08 A

Fターム (14件)：

4H001CA02 ,  4H001CA04 ,  4H001CF01 ,  4H001XA08 ,  4H001XA16 ,  4H001XA30 ,  4H001XB12 ,  4H001XB31 ,  4H001YA29 ,  4H001YA31 ,  4H001YA47 ,  4H001YA49 ,  4H001YB12 ,  4H001YB31

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 半導体ナノ粒子及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-063131   出願人：日立ソフトウエアエンジニアリング株式会社
• ナノ粒子製造方法及びこの方法によって製造されたナノ粒子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-154977   出願人：日立ソフトウエアエンジニアリング株式会社