特許

J-GLOBAL ID：200903056286314822

有機半導体薄膜、有機薄膜トランジスタ、及び有機薄膜トランジスタの製造方法

発明者： 竹村 千代子 ,  北 弘志
出願人/特許権者： コニカミノルタホールディングス株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-299003
公開番号（公開出願番号）：特開2009-124064
出願日： 2007年11月19日
公開日（公表日）： 2009年06月04日
要約：

【課題】本発明の目的は、高移動度、かつ、熱安定性に優れた有機薄膜トランジスタを提供することにある。【解決手段】低分子有機半導体化合物を用いて形成した膜に、少なくとも1つの処理を施すことで、低分子有機半導体化合物分子の少なくとも2分子が互いに結合して形成した重合体を膜の一部に含有することを特徴とする、有機半導体薄膜。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

低分子有機半導体化合物を用いて形成した膜に、少なくとも1つの処理を施すことで、低分子有機半導体化合物分子の少なくとも2分子が互いに結合して形成した重合体を膜の一部に含有することを特徴とする、有機半導体薄膜。

IPC (4件)：

H01L 51/30 ,  H01L 51/05 ,  H01L 51/40 ,  H01L 29/786

FI (5件)：

H01L29/28 220A ,  H01L29/28 100A ,  H01L29/28 250H ,  H01L29/28 310L ,  H01L29/78 618B

Fターム (55件)：

5F110AA01 ,  5F110AA05 ,  5F110BB01 ,  5F110CC01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD04 ,  5F110DD05 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE07 ,  5F110EE08 ,  5F110EE11 ,  5F110EE14 ,  5F110EE34 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF23 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110FF30 ,  5F110GG05 ,  5F110GG06 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG44 ,  5F110GG48 ,  5F110GG58 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK07 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110QQ14

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 国際公開第2006/077888号パンフレット