半導体装置及びその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：外川英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-081849
公開番号（公開出願番号）：特開2004-289038
出願日： 2003年03月25日
公開日（公表日）： 2004年10月14日
要約：

【課題】高いキャリア移動度による低いオン抵抗を有し、かつ、高耐圧である炭化珪素を用いた半導体装置及びその製造方法を提供することにある。【解決手段】第1の炭化珪素半導体層10に、それよりもバンドギャップの大きい第2の炭化珪素半導体層11を形成することにより、ショットキーゲート型電界効果トランジスタにおけるチャネル領域を第1の炭化珪素半導体層10の、第2の炭化珪素半導体層11との界面側に形成する。第1の炭化珪素半導体層10と第2の炭化珪素半導体層11との界面の凹凸は非常に小さく平滑なため、チャネル領域を走行するキャリア担体が表面散乱されることなく高い移動度を持つ。このため、低いオン抵抗を持つショットキーゲート型電界効果トランジスタを含む半導体装置及びその製造方法が得られる。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

少なくとも表面領域が、第1の材料で構成される第1の半導体層からなる半導体基体と、前記第1の半導体層上に形成され、かつ、前記第1の半導体層よりもバンドギャップが大きい第2の材料で構成される第2の半導体層と、前記第2の半導体層の一領域上に形成されたゲート電極と、前記第2の半導体層の前記一領域を挟むと共に、その接合深さが前記第2の半導体層を越えるように前記第2の半導体層及び第1の半導体層に形成されたソース及びドレイン領域とを備えた電界効果トランジスタを有し、前記第1の材料及び第2の材料が炭化珪素であることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L21/338 , H01L29/78 , H01L29/786 , H01L29/812

FI (4件)：

H01L29/80 B , H01L29/78 301B , H01L29/78 618B , H01L29/78 618E

Fターム (54件)：

5F102FA01 , 5F102FA02 , 5F102GD10 , 5F102GJ01 , 5F102GJ02 , 5F102GK02 , 5F102GK08 , 5F102GL02 , 5F102GR01 , 5F102GR06 , 5F102GR11 , 5F102GR12 , 5F102GT03 , 5F102HC01 , 5F102HC07 , 5F102HC11 , 5F102HC19 , 5F102HC21 , 5F110AA01 , 5F110CC02 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110EE04 , 5F110EE43 , 5F110GG01 , 5F110GG12 , 5F110GG17 , 5F110GG19 , 5F110HJ01 , 5F110HJ13 , 5F110HJ23 , 5F110HK04 , 5F110HK33 , 5F110QQ14 , 5F140AA25 , 5F140AA30 , 5F140AC36 , 5F140BA02 , 5F140BA20 , 5F140BB18 , 5F140BC12 , 5F140BF01 , 5F140BF07 , 5F140BG30 , 5F140BG36 , 5F140BH21 , 5F140BH49 , 5F140BJ01 , 5F140BJ07 , 5F140BK05 , 5F140BK13 , 5F140BK21 , 5F140BK29 , 5F140CE02

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