磁気ランダムアクセスメモリ及びその作動方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：磯野道造
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-324565
公開番号（公開出願番号）：特開2003-281879
出願日： 2002年11月08日
公開日（公表日）： 2003年10月03日
要約：

【要約】【課題】マグネチックドメインドラッグ現象を用いた磁気ランダムアクセスメモリ(MRAM)を提供する。【解決手段】固定層、非磁性体層及び自由層を含むデータ貯蔵ユニットと、前記データ貯蔵ユニットにデータを入力するために前記自由層の両端に電気的に接続されたデータ入力手段と、前記データ貯蔵ユニットに貯蔵されたデータを出力するために前記自由層及び固定層に電気的に接続されたデータ出力手段とを含む磁気ランダムアクセスメモリ(MRAM)とした。

請求項（抜粋）：

固定層、非磁性体層、および自由層を含んでなるデータ貯蔵ユニットと、前記自由層の両端に電気的に接続され、前記データ貯蔵ユニットにデータを入力するデータ入力手段と、前記自由層及び固定層に電気的に接続され、前記データ貯蔵ユニットに貯蔵されたデータを出力するデータ出力手段とを含むことを特徴とする磁気ランダムアクセスメモリ。

IPC (4件)：

G11C 11/15 110 , G11C 11/15 116 , H01L 27/105 , H01L 43/08

FI (4件)：

G11C 11/15 110 , G11C 11/15 116 , H01L 43/08 Z , H01L 27/10 447

Fターム (10件)：

5F083FZ10 , 5F083GA01 , 5F083GA05 , 5F083GA09 , 5F083LA04 , 5F083LA05 , 5F083LA12 , 5F083LA16 , 5F083LA20 , 5F083ZA28

引用特許：

審査官引用 (1件)

磁気メモリ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-367280 出願人：株式会社東芝

引用文献：

審査官引用 (2件)

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