特許
J-GLOBAL ID:200903056300379142
半導体装置の配線構造
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
花輪 義男
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-210626
公開番号(公開出願番号):特開2000-049161
出願日: 1998年07月27日
公開日(公表日): 2000年02月18日
要約:
【要約】【課題】従来技術による配線の微細化は、配線が断面形状が矩形の配線間の容量は、対向する配線の側面(垂直面)の面積が大きく、その距離が近いほど大きくなっている。配線遅延の改善が素子性能に追随できずに、半導体装置の高速化の弊害となり、配線遅延を素子性能の向上に合わせて微細化を行う必要がある。【解決手段】本発明は、回路素子が形成された半導体基板に形成される複数の配線において、前記配線の断面形状が菱形であり、その菱形の角部どうしが対峙して、前記半導体基板の積層方向及び/若しくは面方向に配置され、並列する配線間で、配線が互いに垂直面で対向せず、配線間に発生する配線間容量を低減化する。
請求項(抜粋):
回路素子が形成された半導体基板に形成される複数の配線において、前記配線の断面形状が菱形であることを特徴とする半導体装置の配線構造。
FI (2件):
H01L 21/88 A
, H01L 21/88 R
Fターム (26件):
5F033AA02
, 5F033AA04
, 5F033AA13
, 5F033AA15
, 5F033AA29
, 5F033AA52
, 5F033AA61
, 5F033BA12
, 5F033BA15
, 5F033BA17
, 5F033BA25
, 5F033BA38
, 5F033DA05
, 5F033DA06
, 5F033DA07
, 5F033DA08
, 5F033DA15
, 5F033DA35
, 5F033DA36
, 5F033DA38
, 5F033EA02
, 5F033EA09
, 5F033EA12
, 5F033EA20
, 5F033EA25
, 5F033FA03
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