特許
J-GLOBAL ID：200903056307568129
アモルファスカーボン膜の形成方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
福森 久夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-250205
公開番号（公開出願番号）：特開平10-096076
出願日： 1996年09月20日
公開日（公表日）： 1998年04月14日
要約：
【要約】【課題】 本発明は、スパッタされたカーボン原子の基板上でのエネルギーを精密に制御し、硬度が高く耐久性にすぐれたアモルファスカーボン膜を作製する形成手法を提供すること。【解決手段】 本発明は、ECRスパッタ法を用いてアモルファスカーボン膜を形成する手法において、イオンアシストの加速電圧を60V以上に設定することを特徴とする。
請求項（抜粋）：
磁界の中に備えられたプラズマ生成室にプラズマ用ガスおよびマイクロ波を導入して電子サイクロトロン共鳴により該プラズマ生成室にプラズマを生成する工程と、前記発散型の磁界により、前記プラズマ生成室のプラズマ引き出し窓から前記プラズマを成膜室に引き出す工程と、この引き出されたプラズマ流を囲むように同軸状に配置されたカーボンからなるターゲットをプラズマでスパッタすることにより、該成膜室に設置した基板上にカーボン膜を形成するアモルファス薄膜の形成方法において、前記プラズマ生成室において生成されたガスイオンの基板に到達するまでに加速される電圧を60V以上とすることを特徴とするアモルファスカーボン膜の形成方法。
IPC (4件)：
C23C 14/06
, G11B 5/84
, H01L 21/203
, H01L 21/205
C23C 14/06 F
, G11B 5/84 B
, H01L 21/203 S
, H01L 21/205
