薄膜の成膜方法とその装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-056934
公開番号（公開出願番号）：特開2000-256847
出願日： 1999年03月04日
公開日（公表日）： 2000年09月19日
要約：

【要約】【課題】本発明は、ホロカソード等の熱電子を用いて、高速で良質な薄膜を成膜する方法とそれに使用する装置を提供するものである。【解決手段】スパッタ装置のターゲットの略中央部、又は近傍に熱電子のアシスト装置を設け、これにより熱電子を大量に導入して反応性ガスを励起してイオン化し、スパッタ粒子と反応させることでTiO2 の薄膜を成膜することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

真空チャンバ内に不活性ガスを導入して、ターゲット近傍に発生するプラズマのイオンエネルギーによりターゲットがスパッタされて発生するスパッタ粒子を、基板表面に付着させる薄膜の成膜方法において、ターゲットの略中央又は近傍に設けられた熱電子アシスト装置により熱電子を真空チャンバ内に放出し、ターゲットと基板間に導入された反応性ガスを熱電子により励起してイオン化し、スパッタ粒子とイオン化したガスとを反応させて薄膜を成膜することを特徴とする薄膜の成膜方法。

Fターム (7件)：

4K029AA01 , 4K029AA11 , 4K029BA46 , 4K029BA48 , 4K029CA06 , 4K029DC03 , 4K029DC39

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