特許
J-GLOBAL ID：200903056311893239
研磨材及び研磨方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山下 穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-272761
公開番号（公開出願番号）：特開平8-134435
出願日： 1994年11月07日
公開日（公表日）： 1996年05月28日
要約：
【要約】【構成】 平均粒径0.1μm以下の酸化セリウムからなる、半導体デバイスの製造工程で用いるための研磨材、該研磨材を5〜300g/lの濃度で含有するスラリーを用いて半導体デバイスの製造工程にて研磨する研磨方法、及び該研磨工程の後に過酸化水素含有酸溶液で洗浄する研磨方法。【効果】 本発明の研磨材を用いることにより、極めて良好な研磨速度、研磨加工精度及び表面状態を同時に達成できる。
請求項（抜粋）：
平均粒径0.1μm以下の酸化セリウムからなることを特徴とする半導体デバイスの製造工程で用いるための研磨材。
IPC (2件)：
C09K 3/14 550
, H01L 21/304 321
