特許

J-GLOBAL ID：200903056314094418

レベル変換回路

発明者： 中野 文雄
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-013580
公開番号（公開出願番号）：特開平5-211433
出願日： 1992年01月29日
公開日（公表日）： 1993年08月20日
要約：

【要約】【目的】ECLレベルの入力をCMOSレベルに変換するレベル変換回路において、入力に電流を流さずに変換すること。【構成】正相入力及び逆相入力をレベルシフトするレベルシフト回路100,200とNチャンネルMOSロランジスタ3,4,7及びPチャンネルMOSトランジスタ5,6より構成されるアクティブロードの全差動増幅器と、直列に接続した全差動増幅器300,400とインバータ回路500,600により構成される。【効果】正相入力及び逆相入力がMOSトランジスタのゲートのいに接続されている為、入力インビーダンスがきわめて大きい為、入力に電流が流れず、駆動が容易となる。

請求項（抜粋）：

第一の入力端子を第一のNチャンネルMOSトランジスタのゲート電極と第一のレベルシフト回路の入力に接続し、第二の入力端子を第二のNチャンネルMOSトランジスタのゲート電極と第二のレベルシフト回路の入力に接続し、第一のPチャンネルMOSトランジスタのゲート電極を前記第一のレベルシフト回路の出力に接続し、第二のPチャンネルMOSトランジスタのゲート電極を前記第二のレベルシフト回路の出力に接続し、前記第一のNチャンネルMOSトランジスタのドレイン電極と前記第一のPチャンネルMOSトランジスタのドレイン電極を接続し、前記第二のNチャンネルMOSトランジスタのドレイン電極と前記第二のPチャンネルMOSトランジスタのドレイン電極を接続し、第三のNチャンネルMOSトランジスタのドレイン電極を前記第一・第二のNチャンネルMOSトランジスタのソース電極に接続し、前記第三のNチャンネルMOSトランジスタのゲート電極をバイアス端子に、ソース電極を第一の電源端子に接続し、前記第一・第二のPチャンネルMOSトランジスタのソース電極を第二の電源端子に接続し、少なくとも二つの全差動増幅器を直列に接続し、初段の全差動増幅器の第一入力を前記第一のNチャンネルMOSトランジスタ及び前記第一のPチャンネルMOSトランジスタのドレイン電極の接続点に、第二入力を前記第二のNチャンネルMOSトランジスタ及び前記第二のPチャンネルMOSトランジスタのドレイン電極の接続点にそれぞれ接続し、最終段の全差動増幅器の出力を第一のインバータ回路の入力に、第二の出力を第二のインバータ回路の入力に接続し、第一の出力端子を前記第一のインバータ回路の出力に接続し、第二の出力端子を前記第二のインバータ回路の出力に接続することを特徴とするレベル変換回路。