特許
J-GLOBAL ID：200903056315320357
バンプの形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
滝本 智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-132079
公開番号（公開出願番号）：特開平10-321633
出願日： 1997年05月22日
公開日（公表日）： 1998年12月04日
要約：
【要約】【課題】 チップのアルミ電極上に、半田付け後にチップの接合強度の劣化を生じることがなく、しかも高さの高いバンプを形成することができるバンプの形成方法を提供することを目的とする。【解決手段】 チップ1のアルミ電極2上にワイヤボンディングによって銅バンプ4を形成し、銅バンプ4の先端部を押圧してフラット面を設ける。このフラット面上にワイヤボンディングにより金バンプ7を形成する。銅バンプ4と金バンプ7より成るバンプを基板11の電極12に半田付けすると、金バンプ7中に拡散する半田13中の錫等の成分は銅バンプ4によって遮断されてアルミ電極2まで到達しないため、接合強度劣化の原因となるアルミと錫の合金層が形成されることがなく、また銅バンプ4の表面の酸化膜により半田13はアルミ電極2まで到達しないため、アルミ電極2の半田13による腐食が発生しない。
請求項（抜粋）：
チップのアルミ電極上にワイヤボンディングによって銅バンプを形成し、次にこの銅バンプ上にワイヤボンディングにより金バンプを形成することを特徴とするバンプの形成方法。
FI (2件)：
H01L 21/92 602 D
, H01L 21/92 604 J
