特許
J-GLOBAL ID：200903056315743452
半田バンプ電極の形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-044554
公開番号（公開出願番号）：特開平5-243232
出願日： 1992年03月02日
公開日（公表日）： 1993年09月21日
要約：
【要約】【目的】 個別にダイシングされた回路基板上の所望の部分に組成やサイズが異なる複数の半田バンプ電極を容易に形成でき、かつ上記半田バンプ電極を所望の組成やサイズにコントロールできる半田バンプ電極の形成方法を提供する。【構成】 電極形成用基板100の半田が濡れない金属層3上に形成された半田メッキ6と半導体基板200に形成した半田が濡れる半田接続用金属層10とが対向するように、電極形成用基板100と半導体基板200とを位置合わせし、次に、半田メッキ6と半田接続用金属層10とを当接させると共に、半導体基板200もしくは電極形成用基板100の少なくとも一方を加熱して、半田メッキ6を溶融させる。次に、半導体基板200と電極形成用基板100とを離隔させることで、半田バンプ13を形成する。
請求項（抜粋）：
半田が濡れない金属板上に半田が濡れない絶縁膜を形成することによって、電極形成用基板を作製し、次に、回路素子が形成された回路基板の半田が濡れる半田接続用金属層に対応する領域にある上記電極形成用基板の上記絶縁膜を取り除いて、上記絶縁膜の下層の半田が濡れない金属層が露出した開口部を形成し、次に、上記電極形成用基板の上記半田が濡れない金属層を共通電極とする電解メッキにより上記絶縁膜の開口部に半田を供給して上記開口部に半田メッキを形成し、次に、上記電極形成用基板の上記半田メッキと上記回路基板の半田接続用金属層とが対向するように上記回路基板と上記電極形成用基板とを位置合わせし、次に、上記回路基板もしくは電極形成用基板の少なくとも一方を上記半田の融点以上に加熱して上記半田メッキを溶融させると共に、上記半田接続用金属層に上記半田メッキを当接させ、次に、上記回路基板と電極形成用基板とを離隔させて、上記電極形成用基板の開口部に露出した半田が濡れない金属層から上記回路基板の半田が濡れる半田接続用金属層に上記溶融した半田メッキを転移させることを特徴とする半田バンプ電極の形成方法。
引用特許：
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