特許

J-GLOBAL ID：200903056315892180

シリコンウエハの加工方法

発明者： 織茂 康司 ,  神宮 敦 ,  松本 剛司
出願人/特許権者： 株式会社ユニシアジェックス
代理人 (1件)： 広瀬 和彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-338888
公開番号（公開出願番号）：特開平10-163136
出願日： 1996年12月04日
公開日（公表日）： 1998年06月19日
要約：

【要約】【課題】 シリコンウエハに貫通孔を穿設し、両面加工を施すときこの貫通孔を基準として互いに位置合わせができるようにする。【解決手段】 シリコンウエハ1には、レーザ加工を施すことにより各貫通孔2を穿設する。そして、シリコンウエハ1の両面側に対して互いに位置合わせが必要なエッチング処理等を施すときには、まず露光装置13の基台13A上にシリコンウエハ1を表面1A側が上向きとなるように載置し、各貫通孔2を基準として位置合わせした表面用の露光マスク9からシリコンウエハ1にパターンを転写する。次に、シリコンウエハ1を裏側に反転させて基台13A上に載置し、各貫通孔2を基準として位置合わせした裏面用の露光マスクからシリコンウエハ1にパターンを転写する。

請求項（抜粋）：

基板となるシリコンウエハに対して予め決められた位置に貫通孔を穿設する穿孔工程と、前記シリコンウエハの表面側に前記貫通孔を基準として第1のエッチング処理部を形成する第1の処理工程と、前記シリコンウエハの裏面側に前記貫通孔を基準として第2のエッチング処理部を形成する第2の処理工程とを含んでなるシリコンウエハの加工方法。

IPC (5件)：

H01L 21/302 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/68 ,  H01L 29/84 ,  B23K 26/00

FI (5件)：

H01L 21/302 Z ,  H01L 21/68 F ,  H01L 29/84 B ,  B23K 26/00 H ,  H01L 21/30 502 M

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平4-288816
  
• リードフレームの加工方法及びリードフレーム並びに半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-203513   出願人：宇野義幸, 日立建機株式会社
• 特開平1-120819
  
• 特開昭61-185930