特許
J-GLOBAL ID：200903056320765987
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-240432
公開番号（公開出願番号）：特開平5-055205
出願日： 1991年08月26日
公開日（公表日）： 1993年03月05日
要約：
【要約】【目的】 製造コストを増大させることなく、特に比較的大面積の金属配線層に生じるおそれのあるヒロックが保護膜よりも外側にまで成長することを有効に防止し得る半導体装置を提供することである。【構成】 本発明の半導体装置では、金属配線層21、31に、ヒロック防止用保護膜が所定値以下のカバレージで入り込むヒロック用穴22,36を形成し、この穴内でヒロックを成長させることにより、ヒロック防止用保護膜32よりも外方へ向けてヒロックhが成長することを防止する。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に、少なくとも一層の金属配線層が積層され、この金属配線層の表面にはヒロック防止用保護膜が形成してある半導体装置において、上記金属配線層には、ヒロック防止用保護膜が所定値以下のカバレージで入り込むヒロック用穴が形成してあり、このヒロック用穴内で積極的にヒロックを発生させることにより、上記保護膜よりも外方へ向けてヒロックが成長することを防止することを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/318
, H01L 21/3205
