特許
J-GLOBAL ID：200903056321774564
バイポーラトランジスタの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
宇高 克己
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-096249
公開番号（公開出願番号）：特開平5-129318
出願日： 1992年04月16日
公開日（公表日）： 1993年05月25日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 窒化膜の湿式エッチング時にポリシリコン層を保護し、半導体素子の電気的な特性上の欠陥の発生を抑制できたバイポーラトランジスタを提供する。【構成】 第1の窒化膜12上にポリ層の浸蝕防止層である薄い酸化膜13を設け、次いで第1のポリ層14、第2の窒化膜15、第2のポリ層16を順に設ける工程と、フォトレジストをパターン化して第2のポリ層を選択エッチングする工程と、不純物をイオン注入した後、アニール処理を行う工程と、前記第2のポリ層と第2の窒化膜をエツチングする工程と、第1のポリ層のうちイオン注入工程時にドーピングされたポリ層とドーピングされていないポリ層とを選択エッチングする工程と、ポリ層に窒化ボロンを注入する工程と、ポリ層を部分的に酸化して酸化膜を形成する工程と、第1の窒化膜を選択エッチングする工程とを具備してなるバイポーラトランジスタの製造方法。
請求項（抜粋）：
バイポーラトランジスタの製造方法であって、シリコン基板上にパット酸化膜と第1の窒化膜を順に蒸着した後、第1の窒化膜上にポリ層の浸蝕防止層である薄い酸化膜を設け、次いで第1のポリ層、第2の窒化膜、第2のポリ層を順に設ける工程と、フォトレジストを塗布する工程と、前記フォトレジストをパターン化して第2のポリ層を選択エッチングする工程と、前記フォトレジストを除去し、不純物をイオン注入した後、アニール処理を行う工程と、前記第2のポリ層と第2の窒化膜をエツチングする工程と、前記第1のポリ層のうち前記イオン注入工程時にドーピングされたポリ層とドーピングされていないポリ層とを選択エッチングする工程と、前記ポリ層に窒化ボロンを注入する工程と、前記ポリ層を部分的に酸化して酸化膜を形成する工程と、前記第1の窒化膜を選択エッチングする工程とを具備してなることを特徴とするバイポーラトランジスタの製造方法。
IPC (2件)：
引用特許：
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