特許

J-GLOBAL ID：200903056329696678

プラズマ成膜方法

発明者： 中瀬 りさ
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (1件)： 井上 俊夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-343998
公開番号（公開出願番号）：特開平11-162960
出願日： 1997年11月27日
公開日（公表日）： 1999年06月18日
要約：

【要約】【課題】 CF膜を半導体デバイスの層間絶縁膜として用いようとすると、W(タングステン)の配線を形成するときに例えば400°C〜450°C付近にまでCF膜が加熱され、このときにF系のガスがCF膜から抜け、配線の腐食や膜減りに伴う種々の不都合が生じる。【解決手段】 環状構造のC5 F8 ガス及び炭化水素ガス例えばC2 H4 ガスを成膜ガスとして用い、これらガスを例えば0.1Torrの圧力下でプラズマ化してプロセス温度400°Cの下でその活性種により半導体ウエハ上にCF膜を成膜する。C5 F8 ガスの分解生成物は二重結合をもったC5 F8 、C4 F6 、C3 F4 などと考えられ、その再結合物は立体構造で結合が強固であり、高温下でも結合が切れにくく脱ガス量が少ない。

請求項（抜粋）：

環状構造のC5 F8 ガスを含む成膜ガスをプラズマ化し、そのプラズマにより被処理基板上にフッ素添加カ-ボン膜よりなる絶縁膜を成膜することを特徴とするプラズマ成膜方法。

IPC (3件)：

H01L 21/314 ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/31

FI (3件)：

H01L 21/314 A ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/31 C