特許
J-GLOBAL ID：200903056336169500
ウエーハ端面のエツチング方法とその装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
押田 良久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-270149
公開番号（公開出願番号）：特開平5-082478
出願日： 1991年09月20日
公開日（公表日）： 1993年04月02日
要約：
【要約】【目的】 ウエーハ端面からのパーティクル発生防止のために行う端面の薄膜等の除去に際して、エッチング液を使用することなく、端面の所要部位の薄膜だけを容易にかつ完全に除去でき、必要な薄膜部に何らの影響も与えないウエーハ端面のエッチング方法とエッチング装置の提供。【構成】 半導体ウエーハ10は上下ホルダー2,3に挟まれて支持され、その両主面が被覆されてこの円盤部材より突出した所要の円周端面が円周状反応室21内に露出し、CF4ガス、ArまたはHeガスを円周状放電部11に供給して高周波電圧が印加し、大気圧でグロープラズマを励起して活性化すると、エッチングガスとなり円周状反応室21に入り、該円周端面の薄膜等に作用して所要のエッチングが行われて除去され排気ガスとともに排出される。
請求項（抜粋）：
フッ素化合物ガスを不活性ガスのキャリアガスで放電部に導入して大気圧近傍でグロープラズマを励起させ、活性化したエッチングガスを、半導体ウエーハの所要端面部に移送してエッチングすることを特徴とするウエーハ端面のエッチング方法。
IPC (3件)：
H01L 21/302
, H01L 21/304 341
, H05H 1/46
