特許

J-GLOBAL ID：200903056337756477

エッチング方法,化学気相成長装置,化学気相成長装置のクリ-ニング方法,及び化学気相成長装置用の石英部材

発明者： 江口 和弘 ,  奥村 勝弥 ,  清利 正弘 ,  稗田 克彦 ,  山崎 壮一
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-298271
公開番号（公開出願番号）：特開2000-200779
出願日： 1999年10月20日
公開日（公表日）： 2000年07月18日
要約：

【要約】【課題】石英をエッチングせずに、(Ba,Sr)TiO3 等のアルカリ土類金属の酸化物を選択的にエッチングする。【解決手段】ハロゲン、ハロゲン間化合物、またはハロゲン水素化物でフッ素を含まないエッチングガスを用いて、少なくとも1つ以上のアルカリ土類金属を含む酸化物、例えば(Ba,Sr)TiO3 のエッチングを行う。

請求項（抜粋）：

フッ素以外のハロゲンガス、フッ素以外のハロゲン元素のみからなるハロゲン間化合物、およびフッ素以外のハロゲン元素の水素化物の内の少なくとも1つを含むガスを用いて、少なくとも1種以上のアルカリ土類金属を含む酸化物をエッチングすることを特徴とするエッチング方法。

IPC (6件)：

H01L 21/3065 ,  C23C 16/44 ,  H01L 21/306 ,  H01L 21/31 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (5件)：

H01L 21/302 F ,  C23C 16/44 J ,  H01L 21/31 B ,  H01L 21/302 P ,  H01L 27/10 651