プラズマ処理装置

発明者： ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：小川勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-249289
公開番号（公開出願番号）：特開2000-077393
出願日： 1998年09月03日
公開日（公表日）： 2000年03月14日
要約：

【要約】【課題】プラズマ処理装置において、基板上のエッチング膜のエッチング速度分布,エッチング形状,下地膜エッチング速度のすべてを均一にする要求があった。【解決手段】プラズマ処理装置に対して、基板外側にウエハより背の高いリングを装着し、このリングにバイアス電力を印加するようにしたので、リング内に反応生成物が溜まって基板に入射する反応生成物の量が均一になり、生産性を向上させることができる。

請求項（抜粋）：

プラズマ生成ガスの供給口と排気口を有するチャンバ内にプラズマを生成し、基板を処理する装置において、基板の外側に基板より高い高さのリングを設置し、このリングにバイアス電力を負荷することを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (5件)：

H01L 21/3065 , C23C 16/509 , C23F 4/00 , H01L 21/205 , H05H 1/46

FI (5件)：

H01L 21/302 B , C23C 16/50 D , C23F 4/00 A , H01L 21/205 , H05H 1/46 M

Fターム (72件)：

4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030FA03 , 4K030JA17 , 4K030KA15 , 4K030LA15 , 4K057DA16 , 4K057DA20 , 4K057DB20 , 4K057DD01 , 4K057DD03 , 4K057DE01 , 4K057DE04 , 4K057DE06 , 4K057DE08 , 4K057DE11 , 4K057DE14 , 4K057DG20 , 4K057DJ02 , 4K057DM02 , 4K057DM05 , 4K057DM06 , 4K057DM40 , 4K057DN01 , 5F004AA01 , 5F004BA04 , 5F004BA14 , 5F004BA16 , 5F004BB11 , 5F004BB14 , 5F004BB18 , 5F004BB28 , 5F004BC08 , 5F004BD07 , 5F004CA09 , 5F004CB02 , 5F004DA00 , 5F004DA01 , 5F004DA04 , 5F004DA11 , 5F004DA18 , 5F004DA23 , 5F004DB00 , 5F004DB01 , 5F004DB03 , 5F045AA08 , 5F045AA13 , 5F045AC02 , 5F045AC03 , 5F045AC05 , 5F045AC16 , 5F045AF01 , 5F045BB01 , 5F045BB02 , 5F045DP01 , 5F045DP02 , 5F045DP03 , 5F045DQ10 , 5F045EC01 , 5F045EC03 , 5F045EC05 , 5F045EF05 , 5F045EH06 , 5F045EH08 , 5F045EH11 , 5F045EH13 , 5F045EH14 , 5F045EH16 , 5F045EH17 , 5F045EH19 , 5F045EH20 , 5F045GB08

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