特許

J-GLOBAL ID：200903056341846758

半導体ナノワイヤ群の製作及びナノワイヤ群を備える電子デバイス

発明者： エリック、ペー.アー.エム.バッカース ,  ルイス、エフ.フェイナー ,  アブラハム、エル.バルケネンデ
出願人/特許権者： コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ
代理人 (10件)： 熊倉 禎男 ,  大塚 文昭 ,  宍戸 嘉一 ,  弟子丸 健 ,  井野 砂里 ,  吉武 賢次 ,  橘谷 英俊 ,  佐藤 泰和 ,  吉元 弘 ,  川崎 康
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-546415
公開番号（公開出願番号）：特表2007-525830
出願日： 2004年12月03日
公開日（公表日）： 2007年09月06日
要約：

所望のワイヤ径(d)を有する半導体ナノワイヤ群(10)を製作する方法は、少なくとも1つの予め製作された半導体ナノワイヤは所望のワイヤ径(d)よりも大きいワイヤ径(d’)を有する、予め製作された半導体ナノワイヤ群(10’)を提供する工程と、少なくとも1つの予め製作されたナノワイヤ(10’)のワイヤ径をエッチングによって小さくする工程とを備え、このエッチングは少なくとも1つの予め製作されたナノワイヤ(10’)によって吸収される光によって誘起され、この少なくとも1つの予め製作されたナノワイヤが所望のワイヤ径(d)に達したときに、この少なくとも1つの予め製作されたナノワイヤの吸収がかなり小さくなるように、この光のスペクトルが選択される。電子デバイス(100)は、所望のワイヤ径(d)を有するナノワイヤ群(10)を備えてもよい。装置(29)は本発明による方法を実行するのに使用され得る。

請求項（抜粋）：

所望のワイヤ径を有する半導体ナノワイヤ群を製作する方法であって、 少なくとも1つの予め製作された半導体ナノワイヤは前記所望のワイヤ径よりも大きいワイヤ径を有する、予め製作された半導体ナノワイヤ群を提供する工程と、 前記少なくとも1つの予め製作されたナノワイヤの前記ワイヤ径をエッチングによって小さくする工程とを備え、前記エッチングは前記少なくとも1つの予め製作されたナノワイヤによって吸収される電磁放射によって誘起され、前記少なくとも1つの予め製作されたナノワイヤが前記所望のワイヤ径に達したときに、前記少なくとも1つの予め製作されたナノワイヤの前記吸収がかなり小さくなるように前記電磁放射の最小波長が選択される方法。

IPC (4件)：

H01L 29/06 ,  B82B 3/00 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/306

FI (4件)：

H01L29/06 601N ,  B82B3/00 ,  H01L21/205 ,  H01L21/306 B

Fターム (17件)：

5F043AA15 ,  5F043BB08 ,  5F043DD08 ,  5F045AA03 ,  5F045AB01 ,  5F045AB02 ,  5F045AB05 ,  5F045AB09 ,  5F045AB10 ,  5F045AB11 ,  5F045AC16 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045AE17 ,  5F045AE19 ,  5F045AF07 ,  5F045DA61