特許
J-GLOBAL ID：200903056344388238
半導体集積昇圧回路装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
本庄 富雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-129111
公開番号（公開出願番号）：特開平8-306870
出願日： 1995年04月28日
公開日（公表日）： 1996年11月22日
要約：
【要約】【目的】 チャージポンプ回路を利用して高電圧を出力する昇圧回路を、高耐圧の容量を製造する特別の製造プロセスを導入することなく、他の回路も集積する半導体集積回路装置上に形成した半導体集積昇圧回路装置を提供すること。【構成】 前記昇圧回路に必要とされる容量C1 〜Cn を、MOSトランジスタやパイポーラ素子を形成する際に形成される層を利用したMOS容量素子や接合容量素子Cを1個以上直列接続して構成し、その直列接続数は、前記MOS容量素子や接合容量素子Cのそれぞれに印加される電圧が、その耐圧以下となる数にする。直列接続数を増加させることにより耐圧の高い容量を得ることが出来、高い出力電圧に対応することが出来る。
請求項（抜粋）：
入力電源に第1の端子が接続された容量と該容量の第2の端子の接続電位を切り換える接続経路切換回路とから成る昇圧段を複数個有するチャージポンプ回路を、半導体集積回路装置上に形成した半導体集積昇圧回路装置において、MOSトランジスタやバイポーラ素子を形成する際に形成される層を利用して得る容量素子1個以上を直列接続したもので前記容量を構成し、直列接続する容量素子数を個々の容量素子に印加される電圧が該容量素子の耐圧以下となる数に選定したことを特徴とする半導体集積昇圧回路装置。
IPC (3件)：
H01L 27/04
, H01L 21/822
, H02M 3/07
