特許

J-GLOBAL ID：200903056355187528

酸素イオン打込み装置

発明者： 登木口 克己 ,  関 孝義 ,  伊藤 純也 ,  関 博文
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 作田 康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-321388
公開番号（公開出願番号）：特開2003-124135
出願日： 2001年10月19日
公開日（公表日）： 2003年04月25日
要約：

【要約】【課題】酸素イオン照射に対し耐酸化性に優れ、かつウエハの保持に対し摩擦係数の小さい部材がなく、酸素イオン打込みで長時間安定に発塵の少ないウエハ保持部材を提供することができなかった。【解決手段】部材を窒化チタンとすると共にウエハ接触面をあらかじめ炭素イオンで打込み改質した部材とする。【効果】ウエハへのパーティクル付着汚染の少ない酸素イオン打込み装置が提供可能となる。

請求項（抜粋）：

シリコンウエハ内部に埋め込み酸化膜を形成するため、500°C以上に加熱したシリコンウエハに20〜250keVのエネルギーの酸素イオンをイオン打込みする酸素イオン打込み装置において、シリコンウエハ周辺エッジ部分でウエハを保持するためのウエハ保持部材が窒化チタンであると共にウエハエッジに接触可能な保持部材の一部もしくは全部の表面をあらかじめ炭素もしくは塩素イオンでイオン打込みさせた保持部材とする酸素イオン打込み装置。

IPC (4件)：

H01L 21/265 603 ,  H01L 21/265 ,  H01J 37/20 ,  H01J 37/317

FI (4件)：

H01L 21/265 603 D ,  H01J 37/20 A ,  H01J 37/317 B ,  H01L 21/265 J

Fターム (4件)：

5C001AA01 ,  5C001CC07 ,  5C001DD01 ,  5C034CC11