特許
J-GLOBAL ID：200903056356515871
半導体製造装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-300469
公開番号（公開出願番号）：特開平8-162447
出願日： 1994年12月05日
公開日（公表日）： 1996年06月21日
要約：
【要約】【目的】反応管内軸方向に複数の処理用温度領域が設定される減圧CVD装置において、パーティクル汚損が少なく、かつ処理結果の基板間均一性の良好な装置構成を提供する。【構成】反応管6最奥側の温度領域24を除く温度領域23へのガス導入口3を、処理時のボート位置におけるボート2の反応管6最奥側基板塔載位置よりも反応管6最奥側に位置させるとともに、反応管6最奥側温度領域24へのガス導入口4を前記いずれのガス導入口よりも反応管6最奥側に位置させ、反応管6最奥側温度領域24を除く各温度領域23での処理時には反応管6最奥側温度領域24へも不活性ガスを導入するようにして、パーティクル汚損防止と,導入ガスの予備加熱区間長増加によるボート位置でのガスの軸方向温度分布均一化とを図る。
請求項（抜粋）：
複数の被処理半導体基板を基板相互間に小間隙を存在させて積層状態に保持したボートを出し入れするために一方の端面が開放された筒状の反応管を筒状の加熱手段で囲み反応管内部の軸方向複数個所に互いに温度の異なる温度領域を形成して被処理半導体基板に薄膜形成,アニールあるいはリフロー等のそれぞれ異なる処理を行う半導体製造装置において、処理のための各温度領域へのガスの送入が、反応管最奥側の温度領域を除く各温度領域へは、それぞれ、前記筒状加熱手段の内側を走り処理時のボート位置におけるボートの反応管最奥側基板塔載位置より反応管最奥側にガス放出口が位置する,該ガス放出口と反応管開放端面との間の区間を含んだ各ガス導入径路を介して行われ、反応管最奥側の温度領域へは、前記加熱手段の内側を走り、前記各温度領域へガスを送入するガス放出口のいずれよりも反応管最奥側にガス放出口が位置する,該ガス放出口と反応管開放端面との間の区間を含んだガス導入径路を介して行われることを特徴とする半導体製造装置。
IPC (7件)：
H01L 21/31
, C30B 25/08
, C30B 25/14
, H01L 21/205
, H01L 21/22
, H01L 21/22 511
, H01L 21/324
