特許

J-GLOBAL ID：200903056356786336

異方性プラチナプロファイルのエッチング方法

発明者： ワン, ジェン, エイチ.
出願人/特許権者： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外1名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-540575
公開番号（公開出願番号）：特表2002-510146
出願日： 1998年12月17日
公開日（公表日）： 2002年04月02日
要約：

【要約】約0.3μm以下の距離だけ離され、約85°以上のプラチナプロファイルを有する複数の電極を含む半導体デバイスを形成するために、基板上に配置されたプラチナ電極をエッチングする方法を提供する。この方法は、基板を約150°Cを超える温度まで加熱する方法と、塩素、アルゴンおよび任意にBCl3、HBrおよびそれらの混合物からなる群から選択されたガスからなるエッチャントガスの高密度誘導結合プラズマを用いて、プラチナ電極層をエッチングする方法を備える。基板と、基板により支持された複数のプラチナ電極を有する半導体デバイスを提供する。プラチナ電極は、約0.3μm以下の値を含む寸法(例えば、幅)と約85°以上のプラチナプロファイルを有する。

請求項（抜粋）：

基板上に配置されたプラチナ層のエッチング方法であって、 a)プラチナ層を支持する基板を設ける工程と、 b)工程(a)の前記基板を約150°Cよりも高い温度まで加熱する工程と、 c)ハロゲン含有ガスと希ガスからなるエッチャントガスの高密度プラズマを用いて、少なくとも1つのエッチングされたプラチナ層を支持する前記基板を形成することを含む前記プラチナ層をエッチングする工程と を含む、基板上に配置されたプラチナ層のエッチング方法。

IPC (4件)：

H01L 21/3065 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/28 ,  H01L 27/105

FI (4件)：

C23F 4/00 ,  H01L 21/28 F ,  H01L 21/302 J ,  H01L 27/10 444 C

Fターム (54件)：

4K057DA12 ,  4K057DB08 ,  4K057DD03 ,  4K057DD08 ,  4K057DE04 ,  4K057DE11 ,  4K057DE14 ,  4K057DE15 ,  4K057DG02 ,  4K057DG07 ,  4K057DG08 ,  4K057DG14 ,  4K057DG15 ,  4K057DM01 ,  4K057DN01 ,  4M104AA01 ,  4M104BB14 ,  4M104BB30 ,  4M104CC00 ,  4M104DD37 ,  4M104DD65 ,  4M104DD67 ,  4M104DD71 ,  4M104EE05 ,  4M104EE14 ,  4M104EE17 ,  4M104FF17 ,  4M104FF18 ,  4M104GG16 ,  4M104HH16 ,  4M104HH20 ,  5F004AA16 ,  5F004BA20 ,  5F004BB11 ,  5F004BB18 ,  5F004BB26 ,  5F004CA02 ,  5F004CA03 ,  5F004CA04 ,  5F004CA06 ,  5F004CA08 ,  5F004DA00 ,  5F004DA04 ,  5F004DA11 ,  5F004DA22 ,  5F004DA23 ,  5F004DB08 ,  5F004EB02 ,  5F083FR01 ,  5F083JA14 ,  5F083JA15 ,  5F083JA38 ,  5F083JA40 ,  5F083JA43