特許
J-GLOBAL ID：200903056357923981
半導体装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-296456
公開番号（公開出願番号）：特開平7-147461
出願日： 1993年11月26日
公開日（公表日）： 1995年06月06日
要約：
【要約】【目的】シリコン半導体基板に化合物半導体層を堆積した半導体装置のバッファ層として応力が小さく転位伝播のないものを提供すること。【構成】シリコン半導体基板1aの表面に周期的な凹凸を設け、凹部の対向する側面にGa層G1とAs層A1とをつける。こうして形成したGaAs歪超格子層2aをバッファ層とする。転位はこのバッファ層にとじ込められる。バッファ層の厚さを薄くできる。また凹凸により応力は小さくなる。
請求項（抜粋）：
表面に周期的に凹凸を設けたシリコン半導体基板、前記シリコン半導体基板の表面と接合するGaAs歪超格子層および前記GaAs歪超格子層を被覆する化合物半導体層を含むヘテロ構造半導体基板を有し、前記GaAs歪超格子層は、前記シリコン半導体基板凹部の一方の側面および他方の側面をそれぞれ被覆するガリウム層およびヒ素層を有していることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
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