特許
J-GLOBAL ID：200903056359243813
SOIウェーハおよびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松本 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-324914
公開番号（公開出願番号）：特開平9-027605
出願日： 1995年12月13日
公開日（公表日）： 1997年01月28日
要約：
【要約】【課題】 良質の厚い埋没酸化膜と、大変薄く均一で良質の単結晶シリコン薄膜とを有し、これらの膜の間の界面特性が優秀であるSOIウェーハおよびその製造方法を提供すること。【解決手段】 SOIウェーハは、バイアス方法により形成された薄く均一な単結晶シリコン薄膜と、埋没酸化膜とを有し、前記シリコン薄膜の縁部がリング形態に除去されていることにより、前記埋没酸化膜の縁部がリング形態に露出している。製造方法は、下部シリコンウェーハ1と、酸化膜3が形成されている上部シリコンウェーハ2とを接合する工程と、上部ウェーハ1の基板部を厚さ数十μm 以下のシリコン膜のみが残るように除去する工程と、前記シリコン膜の縁部をリング形態に除去する工程と、前記シリコン膜にだけ塩基性シリコンエッチング液が接触するようにし、前記塩基性シリコンエッチング液が陽極、基板部が陰極となるようにバイアスを加えることで前記シリコン膜をエッチングすることにより、単結晶シリコン薄膜を形成させる工程とを含む。
請求項（抜粋）：
バイアス方法により形成された薄く均一な単結晶シリコン薄膜を有するSOIウェーハの製造方法であって、円筒形テフロン容器に、SOIウェーハの単結晶シリコン膜が前記テフロン容器の内部に向くように前記SOIウェーハを密着させる工程と、前記テフロン容器に塩基性シリコンエッチング液を満たす工程と、前記塩基性シリコンエッチング液が陽極、前記SOIウェーハの基板部が陰極となるようにバイアスを加えることにより、前記SOIウェーハのシリコン膜を、正孔が充填された層のみが残るようにエッチングする工程と、を含むことを特徴とするSOIウェーハの製造方法。
IPC (4件)：
H01L 27/12
, B32B 7/02 104
, H01L 21/20
, H01L 21/3063
H01L 27/12 Z
, B32B 7/02 104
, H01L 21/20
, H01L 21/306 L
